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LED芯片發展趨勢:西安電子大屏租賃

日期:2020-06-09 / 人氣:256

    這項技術起(qǐ)初是由惠普公司在AlGaInP/GaAsLED上實現的。GaAs襯底使LED內部的光吸收損耗非常大(dà)。通過剝離GaAs襯底,然後在透明間隙襯底上進行鍵合,可以提高近兩倍的發(fā)光(guāng)效率。藍寶石襯底激光(guāng)剝離(LLO)技術是在Ga同質外延技術(shù)基礎上(shàng)發展起來的。2003年2月,OSRAM采用LLO工藝去除藍(lán)寶石,使LED的(de)光輸出效率提高到75%,是傳統LED的3倍。目前(qián),他(tā)們擁有第一條LLO生產線。

   表麵粗化技術

    然而(ér),直接粗化易損傷活性層,製備透明電極更為困難。目(mù)前,通(tōng)過(guò)改變外延片的生長條件(jiàn)來獲得表麵粗化是一(yī)種可行的工藝。

    製備基於二維光子晶體的微(wēi)結構

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    這也是一種提高光效率的方法。2003年9月,日本鬆(sōng)下電器股份有限公司研製了一種直徑為1.5μm的光子晶體的LED,0.5μm的凸點(diǎn)可以使光輸出提高60%。

    倒裝芯片技術(Flip-Chip)

    解決了藍寶石電極光阻和散熱不良(liáng)的問題,並能從藍寶石(shí)襯底上發出光。根據Lumileds的結果,倒裝芯片的光學效率(lǜ)提高了1.6倍。

    芯片表麵處理技術(shù)

    主(zhǔ)要(yào)技術使用表(biǎo)麵微結構或前光的表麵紋理(表麵紋理),以(yǐ)提(tí)高效率。UVLED表麵(圖案化)技術,以通(tōng)過圖案增加光功(gōng)率轉換,表麵處理後,提高了UVLED的光提取效率。

    全方位反射膜

    發展大功率大尺(chǐ)寸芯(xīn)片

    在大規模芯(xīn)片(piàn)設計中應注意兩個問題:一是大驅動(dòng)電流下光(guāng)學(xué)效應的降(jiàng)低;二是低擴散電阻的(de)p電極(jí)的設計,以減小功耗引起的熱效應。

    提(tí)高側向出光的利用(yòng)效率

    需要在發光區底部設(shè)計具有特殊幾何規格的襯(chèn)底(前發射光)或外延層材料(後發(fā)射光),並(bìng)在適(shì)當的區域塗覆(fù)高(gāo)反射層膜(mó),從而提高器件的橫向發光利(lì)用率(lǜ)和(hé)輸出功率。

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